Sinomer® EADMA

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Sinomer® EADMA

甲基丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷酯, CAS 209982-56-9, ArF 193nm光刻胶酸敏脱保护单体

Sinomer® EADMA (甲基丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷酯, CAS 209982-56-9) 是 193 nm (ArF) 先进半导体光刻胶基体聚合物极其重要的核心酸敏单体。

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规格:
基本信息:

产品型号:Sinomer® EADMA

化学名称:甲基丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷酯 (2-Ethyl-2-adamantyl Methacrylate / EADMA)

CAS 编号:209982-56-9 / 249562-06-9

分子式:C16H24O2

分子量:248.36 g/mol

产品概述:Sinomer® EADMA (CAS 209982-56-9) 是微电子光刻化学放大 (CAR) 体系中的核心酸敏感离开基团单体。在曝光产生的微量光致产酸 (PAG) 催化下,2-乙基-2-金刚烷基能够极速发生酸催化脱保护反应裂解成可溶于碱水显影液的羧酸基团,同时金刚烷骨架提供顶尖的耐干法刻蚀能力与高图案分辨率,广泛应用于先进半导体晶圆制造。

化学结构式:
Sinomer® EADMA 化学结构式
技术规格参数 (Standard):
外观性状白色晶体粉末或澄清透明液体 (White crystal or liquid)
纯度指标 (HPLC)≥ 98.0 % (电子级 ≥ 99.0%)
金属离子杂质 (Na, K, Fe等)≤ 10 ppb (超纯电子级)
水分含量≤ 0.05 %
特性与优势:

● 高效光酸催化脱保护响应:曝光后酸解速度极快,实现高曝光对比度与极低线边缘粗糙度 (LER)。
● 优异的干法刻蚀抗性:高刚性金刚烷环赋予光刻胶图案在等离子体刻蚀时极高的图形保真度。
● 超高纯度与超低金属离子:ppb 级金属杂质控制,完全符合先进制程芯片洁净制造规范。

推荐应用领域:

● 193 nm ArF 浸没式光刻 (Immersion Lithography) 光刻胶基体树脂关键酸敏单体
● 7nm / 14nm / 28nm 先进逻辑与存储芯片半导体晶圆光刻制造
● 电子束 (E-beam) 及远紫外干涉微纳图形加工光阻剂

包装与储存:

● 包装规格:25公斤 纸板桶 / 铝箔密封洁净袋装。
● 储存条件:储存于干燥、清洁、阴凉库房内(建议 < 5℃ 低温避光冷藏保存)。保质期 12 个月。

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